研究の内容

スマートフォンやパソコンの頭脳となるマイクロプロセッサ・半導体集積回路は、基本素子となる電界効果トランジスタ(FET)を小さくし、現在では、およそ20-30億個のFETを敷き詰めることで、高性能化を実現しています。高性能化の一方で、このFETの消費電力の急増が深刻な問題となっています。これは、FETのスイッチング性能(サブスレッショルド係数)に物理的な限界(60 mV/桁)があるためです。今後、抜本的な省エネルギー化を実現するためには、FETの物理限界を突破できる新しいスイッチ素子とその実用化が必要です。本研究では、これまでにない低消費電力型トンネルFETを提案・実現しました。

社会実装への可能性

• ・低消費電力型集積回路の実現
• ・低電圧回路用スイッチ素子
• ・センサーデバイス
• ・ヘルスケアデバイス

産業界や自治体等へのアピールポイント

本研究室では、MOVPE選択成長法による半導体ナノワイヤの集積技術を確立し、広い分野で、新しい素子応用を展開しています。本研究の低電圧トランジスタ応用だけでなく、半導体ナノワイヤの作製技術など、ものづくりの基礎から共同研究を展開することができます。